4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
Like a finger in the macro world so feels a tiny tip on a lever in the nano world a surface Forces are in Pico Newton range the same like intermolecular binding forces
1-1. AFM tip
- actually feels the sample surface.
- siliconnitride
exhibit excellent flexibility, Contact AFM mode
- silicon crystal
high frequency oscillating(100kHz), more stiffer than siliconnitride, non co
캔틸레버의 탐침은 시료표면에 적용되는 힘이나 AFM의 lateral resolution을 결정.
Silicon , siliconnitride로 만듦
길이 100-200㎛, 넓이 40㎛, 두께 0.3-2㎛
표면에 수직하게 야기되는 반발력
반발력은 1~10 nN
작은 힘에도 매우 민감하게 반응하여 0.01 nm 정도로 미세하게 움직이는 것까지 측정
미세한 표면형상
silicon is on the gas SiH2Cl2, of which it is at relatively low temperatures separates.
⇒ With the support of the plasma excitation are the low process temperatures at 300℃ is possible.
⇒ The deposition of SiO2 and siliconnitride Si3N4 at low conformity.
⇒ High growth speed up to 500 nm/min is possible.
∙ Deposit at low temperature because of plasma.
∙ High vacuum a
소성, 유약칠, 채식 등의 복잡한 과정을 거치지만 원하는 모양, 색을 성형하기 유리하다.
Zirconia(ZrO2
1500℃이상에서 소결하여 얻으며 다른 원소를 첨가하여 다양한 색을 얻을 수 있다.
SiliconNitride(Si3N4)
소결에 의해 형성되기 어려우므로 1400℃의 높은 온도에서 촉진제를 첨가해야한다.
are many III-V and II-VI compound semiconductors with high bandgaps. The only high bandgap materials in…
group IV are diamond and silicon carbide (SiC).
Aluminium nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.
Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.
Boron nitride (BN) is used in Cubic boron nitride.
Semiconductor-Grade Silicon
Steps to Obtaining Semiconductor Grade Silicon (SGS)
1 Produce metallurgical grade silicon (MGS) by heating silica with carbon
SiC (s) + SiO2 (s) Si (l) + SiO(g) + CO (g)
2 Purify MG silicon through a chemical reaction to produce a silicon-bearing gas of trichlorosilane (SiHCl3)
Si (s) + 3HCl (g) SiHCl3 (g) + H2 (g) + heat
3 SiHCl3 and hyd
1.세라믹스의 정의
무기물질을 주원료로 사용하는 산화물(Oxide), 질화물(Nitride), 탄화물(Carbide)등의 재료를 뜻한다. 이러한 재료는 일반적으로 금속재료, 유기재료에 비하여 내식성, 내열성, 내마모성 등이 매우 크며 다양한 기능(전자기적기능, 기계적기능, 광학적기능, 생체적기능 등)을 갖는 현대공
Silicon은 보통 staggered TFT가 사용되는데 그 이유는 a-Si:H의 높은 resistance때문이다.
Resistance 때문에 Gate와 overlap되는 source와 drain이 있는 TFT는 좋은 전기적 특성을 가지게 된다.
-Amorphous silicon is usually used for staggered TFT, because of the high resistance of a-Si:H.
Due to the resistance, the TFT where source & drain overlap with gate sho